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氣體純化廠家向您介紹氬氣純化知識！
氬氣純化耗材選用高溫金屬合金吸氣劑，它的表面會和一些雜質如氧，CH4等反應。而且在高溫下（300-700度）這些雜質會從表面擴散到材料內部從而保持表面和新的雜質的反應能力，工藝解決的困惑。延長了設備耗材的使用年限，達到節能增收減耗的目的。
氬氣作為制作單晶及多晶硅的保護氣體，為了提高硅晶體的質量，如何選用較高純度的氬氣，是制作硅晶體的一個議題。通過對本裝置的使用，氬氣的純度其中氧含量小于1ppm時，水分也小于1ppm時，制作出的單晶硅其氧碳含量就小于0.5ppm，這樣就提高了單晶的使用壽命并能達到要求，贏得客戶的滿意和市場的需求。
由于一般液氬汽化后未經過純化處理，它的氧含量一般在2ppm~5ppm。有時氣體供應商提供的氬氣超過了此范圍，使用氬氣的客戶不知道其質量，所以往往給生產產品質量造成影響。有了氬氣純化裝置后不論氬原料氣的質量如何，只要經過純化裝置的處理后，進入拉晶爐的氬氣，純度始終是恒定的。
一般氧含量小于0.5ppm，水分小于1ppm，這樣穩定的氬氣對生產晶體的質量是有保證的。
直接脫氧法。就是使用活性金屬與氬氣中的氧氣進行反應，消化掉氬氣中的氧氣，從而達到脫氧的目的，經過分子篩吸收掉氬氣中的水份，使氬氣的含水量小于1ppm。
是采用吸氣劑。在一定溫度下，吸氣劑可吸收氮、氫、氧、一氧化碳、二氧化碳、甲烷等氣體經吸收處理后，氬氣的純度可達到6個九，這種保護氣體更適用于制作高純度的半導體的單晶硅。
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